百货50条，全部是实用的玩意儿（04.26）

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DFT计算获得了g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2的带隙、全部PDOS、吸收光谱、功函数和电荷密度差异。对于Z-schemeg-C3N4/SnS2的速率步骤为CO2→COOH*，玩意ΔG为1.10eV，主要产物为CH3OH和CH4。

百货g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2异质结构的模拟吸收光谱具有红移和更强的吸收。全部（d）g-C3N4/SnS2的能带结构图。图9在Z-scemeg-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2异质结构上，玩意CO2还原成CH4和CH3OH的可能反应路径图10Z-schemeg-C3N4/SnS2异质结构上CO2反应路径中的自由能计算图图11Z-schemeB掺杂g-C3N4/SnS2异质结构上CO2反应路径中的自由能计算图图12Z-schemeg-C3N4/SnS2和B-掺杂g-C3N4/SnS2异质结构上HER的能量分布图【小结】本文通过第一原理计算和实验设计了新的Z-schemeB-掺杂g-C3N4/SnS2光催化剂。

百货（b）B掺杂g-C3N4/SnS2异质结构的电荷密度差异图。全部（f）异质结构g-C3N4/SnS2的侧视图。

与g-C3N4相比，玩意Z-scheme异质结构具有更窄的带隙、红移和更强的光吸收，显著提高了光催化活性。

百货图8g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2的光催化机理图（a）g-C3N4/SnS2的Z-scheme光催化机理图。此外，全部在纯净和掺杂的PtD-y晶体中观察到了与EnT过程耦合的显着PL各向异性。

1993年6月回北京大学任教，玩意同年晋升教授。O活性位点的活性不仅可以通过用其他TM原子代替最接近的原子（Ti）来调节，百货而且可以通过在其第二最接近的位点产生O空位来调节。

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